特許
J-GLOBAL ID：200903024741735913
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251347
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 シリコン以外の成分が含まれている第1の層の上にシリコンを主成分とする第2の層を形成する場合に、成膜の遅れ時間をなくすこと。【構成】 ウエハW上にポリシリコン層及びリン吸着層をこの順に形成した後反応管内の温度を例えば600°C以上に設定して、シリコン層を形成するための処理ガスを反応管内に導入して例えば反応管内を0.4Torrの圧力に維持する。この処理ガスとしては、成膜工程の少なくとも初期には例えばモノシランガスと少量のキャリアガスとの混合ガス、あるいは100%のモノシランガスを用いる。リンが下地である場合には、SiH4の吸着が阻止され、その分解生成物の吸着を介してSiH4の吸着が起こると考えられるので、上述の如く処理ガスを用いることにより図2に示すように成膜の遅れ時間(インダクションタイム)Tが短くなる。
請求項（抜粋）：
シリコン以外の成分が含まれている第1の層の表面に、処理ガスを反応させてシリコンを主成分とする第2の層をCVDにより成膜する成膜方法において、前記第2の層の成膜工程の少なくとも初期には、処理ガス中のキャリアガスの混合量が零または少量であることを特徴とする成膜方法。
引用特許：
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