特許

J-GLOBAL ID：200903024743956321

プラズマCVD装置

発明者： 宮崎 誠一 ,  廣瀬 全孝 ,  林 俊雄
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 宮崎 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-087571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029229
出願日： 1991年03月26日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、膜下地にダメージを与えることなく、0.5μm以下の凹凸をした基板の表面であっても平坦化ができ、次世代超々LSIのデバイスの制作を可能にするプラズマCVD装置を提供するものである。【構成】この発明は、成膜用ガスを導入する真空処理室内に、平板な高周波電極と、平板な接地電極とを対向するように平行に配置し、これらの空間に所定の圧力条件下で発生したプラズマによって、平板な接地電極に載置した基板上に成膜を行うプラズマCVD装置において、平板な高周波電極と、平板な接地電極との間に、基板と同電位のメッシュ電極を配置すると共に、平板な接地電極を-90°C以下に冷却したことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

成膜用ガスを導入する真空処理室内に、平板な高周波電極と、平板な接地電極とを対向するように平行に配置し、これらの電極間の空間に所定の圧力条件下で発生したプラズマによって、平板な接地電極に載置した基板上に成膜を行うプラズマCVD装置において、上記平板な高周波電極と、平板な接地電極との間に、上記基板と同電位のメッシュ電極を配置すると共に、上記平板な接地電極を-90°C以下に冷却したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-091667
  
• 特開昭63-228625