特許
J-GLOBAL ID：200903024755635156

半導体製造装置

発明者：
山口 天和

山口 天和 について

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室林 正季

室林 正季 について

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原 大介

原 大介 について

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平松 宏朗

平松 宏朗 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142437
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300444
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】複数の処理基板をプラズマ処理する半導体製造装置を提供する。【解決手段】処理容器内に複数の基板を多段に保持する基板保持具と、処理ガス供給装置と、前記処理容器に複数の吹出口12を通じて連通するプラズマ発生室10と、プラズマ生成ガス供給装置と、プラズマ発生室10外部に設けられた一対の電極22,22に高周波電流を供給するプラズマ発生装置と、前記基板保持具を回転させる回転装置と、前記処理容器内及び前記プラズマ発生室内の減圧排気装置とを備え、前記基板保持具を回転させながら前記プラズマ発生室10にプラズマを発生させてこれを前記複数の吹出口12からそれぞれ各基板間に導入しプラズマ処理を施す半導体製造装置。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
排気可能に構成された処理容器と、 前記処理容器内に挿入される前記複数の基板を多段に保持する基板保持具と、 前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、 前記処理容器に複数の吹出口を通じて連通するプラズマ発生室と、 前記処理容器内にプラズマ生成ガスを供給するプラズマ生成ガス供給装置と、 前記プラズマ発生室に近接させてプラズマ発生室外部に設けられた一対の電極に高周波電流を供給することにより前記プラズマ生成ガスをプラズマ化するプラズマ発生装置と、 前記処理容器内で前記基板保持具を回転させる回転装置と、 前記処理容器内及び前記プラズマ発生室内の雰囲気を排気により減圧する減圧排気装置と、を備え、 前記回転装置により前記基板保持具を回転させながら前記プラズマ発生室にプラズマを発生させてこれを前記複数の吹出口からそれぞれ各基板間に導入することより各基板にプラズマ処理を施す半導体製造装置であって、 前記減圧排気装置が、プラズマ処理の際に前記処理容器を0.1〜10Paに減圧するように構成され、 前記プラズマ生成ガス供給装置が、プラズマ処理の際の減圧後、前記プラズマ発生室に処理容器内よりの高い圧力のプラズマ生成ガスを導入してプラズマ発生室の圧力を処理容器の圧力よりも高圧にするように構成され、 さらに、前記プラズマ発生装置が、前記プラズマ生成ガス導入後にプラズマ発生室にプラズマを発生させるように構成された、 半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/302 106 ,  C23C16/505 ,  H01L21/285 C
Fターム (32件)：
4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA04 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104DD44 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB19 ,  5F004DA24 ,  5F004DB03 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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