特許
J-GLOBAL ID：200903024755860869

半導体装置およびその製造方法

発明者：
角 博文

角 博文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164707
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 接続孔および/または配線溝に埋め込まれた低抵抗のCu配線を得ることができ、高速で高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜8、11に形成される配線溝12および接続孔13の内周面を酸化防止膜、例えばSiN膜14、9により覆った後、配線溝12および接続孔13にCuを埋め込んでCuデュアルダマシン配線を形成する。このCuデュアルダマシン配線の表面にも酸化防止膜17、例えばCu3 P膜などを形成する。
請求項（抜粋）：
接続孔および/または配線溝に導電材料が埋め込まれた半導体装置において、上記接続孔および/または配線溝の内周面が、上記導電材料の酸化を防止することができる材料からなる酸化防止膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M
Fターム (38件)：
4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD06 ,  4M104DD15 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD65 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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