特許
J-GLOBAL ID：200903024775023190
マイクロ波加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001373
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波出力を制御するマイクロ波出力制御手段の制御とジャイロトロンの動作との間にタイムラグが発生し、焼結不良が生じるという問題があった。【解決手段】 最も効率的にマイクロ波出力を得ることができる最適磁場よりも強い軸方向磁場を形成するように、被加熱体10の温度に応じてジャイロトロンの出力を制御する温度制御装置8と、一定の強さの定常磁場を形成し保持する定常磁場発生装置(主磁場発生電磁石12)、前記温度制御装置8の制御を受けて磁場の強さを変える可変磁場発生装置(補助電磁石14)を有する磁場発生装置をジャイロトロンに設けた。
請求項（抜粋）：
電子ビームが供給される空胴共振器を含み、前記電子ビームを前記空胴共振器の高周波電磁界と相互作用させ前記電子ビームの運動エネルギーを高周波エネルギーに変換するジャイロトロン、このジャイロトロンの軸方向に形成される磁場であって、前記電子ビームを旋回運動させる軸方向磁場を形成する磁場発生装置、前記ジャイロトロンが発生した高周波エネルギーを吸収して自己発熱した被加熱体の温度を検出する温度検出手段、この温度検出手段の出力により、電子ビームの運動エネルギーを高周波エネルギーに変換する変換効率が最も高い最適磁場よりも強い軸方向磁場を形成するように前記磁場発生装置を制御する温度制御装置を備えたことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
引用特許：
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