特許
J-GLOBAL ID：200903024788289288
炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241856
公開番号（公開出願番号）：特開平9-048605
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の数が少ない優れた炭化ケイ素単結晶を製造する原料としての、不純物含有量が0.5ppm以下で、好適な粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する。【解決手段】 高純度テトラエトキシシラン等をケイ素源とし、ノボラック型フェノール樹脂等を炭素源とし、これらの混合物を非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、1700°C以上2000°C未満の温度に保持し、該温度の保持中に、2000°C〜2100°Cの温度において5〜20分間にわたり加熱する処理を少なくとも1回行う後処理工程とを含み、平均粒径が10μm〜500μmで、且つ、各不純物元素の含有量が0.5ppm以下である炭化ケイ素粉体を得ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
高純度のテトラアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン重合体、酸化ケイ素から選択される1種以上をケイ素源とし、酸素を分子内に含有し、加熱により炭素を残留する高純度有機化合物を炭素源とし、これらを均質に混合して得られた混合物を非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、1700°C以上2000°C未満の温度に保持し、該温度の保持中に、2000°C〜2100°Cの温度において5〜20分間にわたり加熱する処理を少なくとも1回行う後処理工程とを含み、前記2工程を行うことにより、平均粒径が10μm〜500μmで、且つ、各不純物元素の含有量が0.5ppm以下である炭化ケイ素粉体を得ること、を特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 31/36
, C30B 23/00
, C30B 29/36
C01B 31/36 A
, C30B 23/00
, C30B 29/36 A
