特許

J-GLOBAL ID：200903024796119650

電気的相互接続用薄膜金属バリア層

発明者： シリル・キャブラル・ジュニア ,  パトリック・ウィリアム・デハーヴェン ,  ダニエル・チャールズ・エーデルステイン ,  デービッド・ピーター・クラウス ,  ジェームズ・マンリー・ポラード・ザサード ,  キャロル・エル・スタニス ,  シプリアン・エメカ・ウゾフ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163398
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017790
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】 各種金属及び誘電体材料に対して良好な接着性を有する金属拡散バリア層を提供する。【解決手段】 銅などの第1の材料とAl、W、PbSnなどの第2の材料の間に六方晶相のTaN層を組み込んだ、電気的相互接続用の相互接続構造及びバリア層を開示する。また、六方晶相のTaNとα相のTaの多層をバリア層として開示する。本発明は、500°Cでのアニール中に、分離したい材料中に銅が拡散する問題を解決する。

請求項（抜粋）：

閉じ込めるべき第1の物質と第2の物質との間に置かれ、前記第2の物質を前記第1の物質から分離する、六方晶相TaN薄膜を含むバリア層。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L 21/88 R ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 B ,  H01L 23/52 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板に導体路を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-337039   出願人：インテル・コーポレーション