特許
J-GLOBAL ID：200903024804838181

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者：
西川 通則

西川 通則 について

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杉田 光

杉田 光 について

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山田 欣司

山田 欣司 について

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後藤 幸平

後藤 幸平 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118951
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309753
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、酸素プラズマ耐性を有し、しかもクラックが生じ難く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 R1 a Si(OR2 )4-a (R1 およびR2 は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す)で表される化合物、ならびに(B)(B-1)下記(化1)(R3 およびR4 は1価の有機基を示し、nは3〜10の整数を表す)で表される化合物および/または(B-2)-Si(OR5 )2-b (R6 )bO-(R5 およびR6 は1価の有機基を示し、bは0〜1の整数を表す)の繰り返し単位を有するポリマーからなる化合物の、加水分解物および/または縮合物を含有する膜形成用組成物。【化1】
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、R1 a Si(OR2 )4-a ・・・(1)(R1 およびR2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)ならびに(B)(B-1) 下記一般式(2)で表される化合物、および/または【化1】(R3 およびR4 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、nは3〜10の整数を表す。)および/または(B-2) 下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有するポリマー-Si(OR5 )2-b (R6 )b O- ・・・(3)(R5 およびR6 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bは0〜1の整数を表す。)からなるシラン化合物の、加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C09D183/06 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
C09D183/06 ,  C09D183/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 Q
Fターム (24件)：
4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038JC32 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033WW04 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AD01 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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