レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-288456
公開番号（公開出願番号）：特開2008-107443
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】フォトレジストの上に保護膜を用いて保護膜と投影レンズの間に水を挿入する液浸リソグラフィー工程において、(1)保護膜層とフォトレジスト膜層とのインターミキシングを防止し、及び、(2)現像後のレジスト表面をより親水性化させることによって欠陥の発生を防止する。【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位と少なくとも1個のフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 220/34 , C08F 220/22 , G03F 7/38

FI (8件)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 575 , C08F220/34 , C08F220/22 , G03F7/38 501

Fターム (51件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025AD05 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB48 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096CA20 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 4J100AB07Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03P , 4J100BA33Q , 4J100BA44R , 4J100BA56Q , 4J100BB10P , 4J100BB17P , 4J100BB17Q , 4J100BB18P , 4J100BC08R , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100BC58R , 4J100BC64Q , 4J100CA04 , 4J100FA19 , 4J100GC07 , 5F046JA22

引用特許：

出願人引用 (1件)

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-132081 出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (1件)

液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-010900 出願人：ダイキン工業株式会社

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