特許
J-GLOBAL ID:200903024814489150

磁気センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-010855
公開番号(公開出願番号):特開平10-209522
出願日: 1997年01月24日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 磁界の変化を電気信号に変換する磁気センサにおいて、パターン表面と被検出体とを平行に配置することができる磁気センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 上面に強磁性体からなるパターン23を有しかつパターン23と電気的に接続するように角部に電極層24を有する方形の基板21を備えた素子27と、素子27の下面に電極層24と電気的に接続されたリード端子28と、リード端子28の下面に設けられた磁石29とを、パターン23の第2の保護層26の上面とリード端子28の引出部31とを除いて成形樹脂30で覆う構成により、パターン23の表面と被検出体とを平行に配置することができる磁気センサを提供することができる。
請求項(抜粋):
少なくとも上面に第1、第2の保護層に覆われてなる強磁性体からなるパターンを有しかつ前記パターンと電気的に接続するように設けられた少なくとも3箇所の角部に電極層を有する方形の基板を備えた素子と、前記素子の下面に前記電極層と電気的に接続するように設けられたリード端子と、前記リード端子の下面に設けられた磁石と、前記素子の前記第2の保護層の上面と前記リード端子の一部である引出部とを除いて前記素子、リード端子および磁石を覆うように設けられた成形樹脂とからなる磁気センサ。
IPC (3件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/02 ,  H01L 43/12
FI (3件):
H01L 43/08 M ,  G01R 33/02 B ,  H01L 43/12
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開平4-038486
  • 特開平1-262488
  • 特開平3-205574
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審査官引用 (2件)
  • 特開平4-038486
  • 特開平1-262488

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