不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134584
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350093
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】電荷保持特性の改善を可能にする酸化膜を浮遊ゲート側面に形成する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することである。【構成】制御ゲート電極14の上面および側面と浮遊ゲート電極13の側面を含むシリコン基板10上を被覆するシリコン酸化膜16を熱酸化法あるいは化学気相成長法により形成する。そして、赤外線ランプ加熱によりNH3 雰囲気中基板温度800〜1100°Cの範囲で60秒以内の急速窒化を行い、上記シリコン酸化膜16をシリコン窒化酸化膜16 ́に変化させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極からなる積層ゲート構造を形成する工程と、上記積層ゲート構造をシリコン酸化膜で被覆する工程と、上記シリコン酸化膜を窒化性雰囲気中で熱処理してシリコン窒化酸化膜にする工程とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-134936
特開平4-284675
特開平1-308078

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