特許

J-GLOBAL ID：200903024855040850

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤川 一洋 ,  星野 孝志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-060525
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226997
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】オン抵抗を小さくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】IGBT91は、基板Sと、基板Sの上面Sa側に形成されたエミッタ電極17と、基板Sの下面Sb側に形成されたコレクタ電極15と、エミッタ電極17とコレクタ電極15との間を流れる電流を制御するための制御機構(p型ベース領域7、n+不純物領域11、絶縁膜13、およびゲート電極19)とを備えている。n-ドリフト領域1が基板S内に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の一方の主面側に形成された第1電極と、 前記基板の他方の主面側に形成された第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間を流れる電流を制御するための制御機構とを備え、 第1導電型のドリフト領域が前記基板内に形成されたことを特徴とする、半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/749 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41

FI (9件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/80 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/74 601B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L

Fターム (25件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F005AD02 ,  5F005AE09 ,  5F005AH02 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC02 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GS08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社