特許

J-GLOBAL ID：200903024861347119

絶縁膜のスパッタ成膜方法

発明者： 森田 正 ,  松浦 正道 ,  山本 直志 ,  山川 洋幸
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004312
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200032
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型GMRに好都合な絶縁特性の良い化合物絶縁膜を形成する方法を提案すること【解決手段】真空室1内に、直流電源5に接続されたメタルターゲット6とその背後の磁石7及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるRFコイル8を備えたマグネトロンカソード9を設け、プロセス開始前の到達真空度を1×10-6Pa以下とし、プラズマ発生のための該ターゲット及びRFコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けた基板13にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化を交互に行う。

請求項（抜粋）：

真空室内に、磁石を背後に備えたメタルターゲットと、イオン化率を高めるための該ターゲットの前方のRFコイルと、該ターゲットに対向した基板とを有するマグネトロンスパッタ装置を設け、該真空室内の到達真空度を1×10-6Pa以下とした後、該真空室内のスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量を制御しながら該マグネトロンスパッタ装置を作動させ、該基板にメタル膜の成膜と該メタル膜の絶縁化合物化とを交互に行い絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜のスパッタ形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35

FI (2件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/35 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206916   出願人：富士通株式会社
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-048482   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-298151
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 誘導結合rfプラズマ支援マグネトロンスパッタ法による極薄アルミナ膜電気特性