特許
J-GLOBAL ID：200903024867404904

基板冷却手段を備えた成膜装置

発明者：
川 又 由 雄

川 又 由 雄 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131230
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の過熱を防止できると共に処理効率の向上を図ることができる、基板冷却手段を備えた成膜装置を提供する。【解決手段】 真空処理室2Aの内部で被処理基板Dを保持するための基板ホルダー120と、基板ホルダー120を回転駆動するための回転駆動手段80、86と、を備え、基板ホルダー120は、被処理基板Dの裏面Daと基板ホルダー120の表面62との間に所定の間隔dを形成するようにして被処理基板Dを保持する成膜装置である。被処理基板Dを冷却するための基板冷却手段91を備える。基板冷却手段91は、所定の間隔dによって形成された基板裏面側空間75に基板冷却用ガスを供給するための基板冷却用ガス供給機構92を有する。
請求項（抜粋）：
真空処理室の内部で被処理基板を保持するための基板ホルダーと、前記基板ホルダーを回転駆動するための回転駆動手段と、を備え、前記基板ホルダーは、前記被処理基板の裏面と前記基板ホルダーの表面との間に所定の間隔を形成するようにして前記被処理基板を保持する成膜装置において、前記被処理基板を冷却するための基板冷却手段を備え、前記基板冷却手段は、前記所定の間隔によって形成された基板裏面側空間に基板冷却用ガスを供給するための基板冷却用ガス供給機構を有することを特徴とする、基板冷却手段を備えた成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 14/50 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
C23C 14/50 E ,  C23C 14/34 K ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平1-252770
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002181   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭61-237416
審査官引用 (2件)
  • 特開平1-252770
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002181   出願人：株式会社日立製作所

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