特許
J-GLOBAL ID：200903024874853102

半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
宮嵜 啓介

宮嵜 啓介 について

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和田 一彦

和田 一彦 について

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森本 泰司

森本 泰司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-112152
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309329
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 単一の半導体基板上に複数の半導体レーザを順次成長させて良好な特性を有する半導体レーザ素子を形成する。【解決手段】 n型GaAs基板21上にAlGaAs系半導体レーザ29を形成した後、ノンドープGaAs保護層30を形成する。こうして、AlGaAs系半導体レーザ29の一部の領域をエッチング除去してn型基板21を露出させた場合に、p型GaAsコンタクト層28から不純物Znが蒸発するのを防止する。したがって、p型コンタクト層28のキャリア濃度が低下して、p型電極とのコンタクト特性が悪化するのを防止である。さらに、露出したn型基板21上に、p型コンタクト層28から蒸発した不純物が再付着することを防止できる。したがって、後にAlGaInP系半導体レーザ38を形成した際に、n型GaAs基板21と上記再付着した不純物とが混じった層が形成されず、長期駆動の際における信頼性を向上できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に1回目の結晶成長によって最上に位置するコンタクト層を含む第1半導体レーザ層を形成する工程と、上記第1半導体レーザ層におけるコンタクト層上にノンドープ半導体層を形成する工程と、上記ノンドープ半導体層が形成された上記第1半導体レーザ層における発光領域となる領域を除いて除去して上記半導体基板を露出させる工程と、2回目の結晶成長によって第2半導体レーザ層を形成する工程と、上記第2半導体レーザ層における発光領域となる領域を除いた領域および上記ノンドープ半導体層を除去して、上記第1半導体レーザ層のコンタクト層を露出させる工程を備えて、複数の発光領域を有する半導体レーザ素子を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125 A
Fターム (36件)：
5D119AA01 ,  5D119AA05 ,  5D119AA33 ,  5D119AA40 ,  5D119AA41 ,  5D119EC45 ,  5D119EC47 ,  5D119FA05 ,  5D119FA09 ,  5D119FA22 ,  5D119NA04 ,  5D789AA01 ,  5D789AA05 ,  5D789AA33 ,  5D789AA40 ,  5D789AA41 ,  5D789EC45 ,  5D789EC47 ,  5D789FA05 ,  5D789FA09 ,  5D789FA22 ,  5D789NA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA04 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (2件)

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