特許
J-GLOBAL ID:200903071864024734
集積型半導体発光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-351436
公開番号(公開出願番号):特開平11-186651
出願日: 1997年12月19日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出すことができ、かつ、小型に構成することができる集積型半導体発光装置を提供する。【解決手段】 同一基板上に交互に互いに異なる種類の半導体層を成長させて発光素子構造を形成することにより、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を集積化する。半導体発光素子としては、発光波長が700nm帯のAlGaAs系半導体発光素子、発光波長が600nm帯のAlGaInP系半導体発光素子、発光波長が500nm帯のZnSe系半導体発光素子、発光波長が400nm帯のGaN系半導体発光素子などを用いる。基板としては、その上に集積化する半導体発光素子の種類に応じて、GaAs基板やSiC基板などを用いる。
請求項(抜粋):
同一基板上に成長された半導体層により発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積型半導体発光装置。
引用特許:
審査官引用 (14件)
-
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-317416
出願人:シャープ株式会社
-
3族窒化物半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-331485
出願人:豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
-
半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-284064
出願人:三菱電機株式会社
-
化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-346203
出願人:シャープ株式会社
-
半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-045673
出願人:ソニー株式会社
-
特開昭63-228791
-
特開昭62-296587
-
半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-237468
出願人:株式会社東芝
-
p型半導体膜および半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-332199
出願人:株式会社東芝
-
特開昭60-009186
-
半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-198336
出願人:三洋電機株式会社
-
特開昭60-175476
-
半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-242008
出願人:三洋電機株式会社
-
特開平3-029386
全件表示
前のページに戻る