特許
J-GLOBAL ID:200903071864024734

集積型半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-351436
公開番号(公開出願番号):特開平11-186651
出願日: 1997年12月19日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出すことができ、かつ、小型に構成することができる集積型半導体発光装置を提供する。【解決手段】 同一基板上に交互に互いに異なる種類の半導体層を成長させて発光素子構造を形成することにより、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を集積化する。半導体発光素子としては、発光波長が700nm帯のAlGaAs系半導体発光素子、発光波長が600nm帯のAlGaInP系半導体発光素子、発光波長が500nm帯のZnSe系半導体発光素子、発光波長が400nm帯のGaN系半導体発光素子などを用いる。基板としては、その上に集積化する半導体発光素子の種類に応じて、GaAs基板やSiC基板などを用いる。
請求項(抜粋):
同一基板上に成長された半導体層により発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積型半導体発光装置。
引用特許:
審査官引用 (14件)
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