特許
J-GLOBAL ID：200903024876975400
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258510
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115247
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの複数の半導体レーザチップを積層するために使用する半田層がレーザ光の障害にならないようにすること。【構成】 ?@半導体レーザチップ30、40の半田付けする面のレーザ光放出面35、45側端部であって活性層37、47以外の部分に半田溜まり用凹部38、48を形成したこと。?Aエピタキシャル基板の表面の前記各半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用境界の活性層以外の部分にその底部がエピタキシャル基板表面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿ってエピタキシャル基板を劈開することにより、この劈開面を光放出面とする各半導体レーザチップを形成する工程と、複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に積層する工程とを具備する半導体レーザの製造方法。
請求項（抜粋）：
複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に積層した半導体レーザにおいて、前記各半導体レーザチップの半田付けする面のレーザ光放出面側端部であって活性層以外の部分に半田溜まり用凹部を形成したことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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