非弾性電子散乱による膜厚測定

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-509941
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504609
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】例えば、強磁性体基材上の炭素膜のような、1乃至10nm程度の膜厚を有する薄膜であって、原子番号において明らかに異なる他の材料の基材上に形成されたものの厚さを測定する方法と装置。例えば、電子線又はX線(12)である一次照射源(10)は、基材中に低エネルギーの二次電子(18)を生じさせる。非弾性的に散乱された電子の強度は、一般的に膜厚に関連して増加する(図2)。テストサンプル用に測定された(16)二次電子スペクトラムは、同じ組の構成成分を有する複数の同様の基準サンプルのスペクトラムと比較され、それによって、テストの膜厚が決定される。この方法は、いくつかのプログラム解析を加えることで従来の電子分光計で行うことも可能である。データを抽出して試験データと基準データを比較するための様々な技術が有効に利用される。

請求項（抜粋）：

第1の組成の膜であって、第2の組成を有する基材上に形成されたものの膜厚を測定する方法であって、それぞれ、前記第2の組成の基材上に形成された既知の厚さの前記第1の組成の膜を有する複数の基準サンプルを提供する工程と、各基準サンプルに対して、ある種類の一次照射によって励起されることによってそこから叩き出された二次電子のスペクトラムを測定し、それによって、それぞれの膜厚に関して特定された複数の二次電子の基準スペクトラムを取得する工程と、前記第2の組成の基材上に形成された前記第1の組成の膜を有するテストサンプルに対して、前記種類の一次照射によって励起されることによってそこから叩き出された二次電子のスペクトラムを測定し、それによって、二次電子のテストスペクトラムを取得する工程と、前記二次電子のテストスペクトラムを前記二次電子の基準スペクトラムと比較して、テストサンプルの膜の膜厚を決定する工程からなる膜厚測定方法。

IPC (4件)：

G01B 15/02 , G01N 23/203 , G01N 23/225 , G01N 23/227

FI (4件)：

G01B 15/02 D , G01N 23/203 , G01N 23/225 , G01N 23/227

Fターム (29件)：

2F067AA27 , 2F067DD07 , 2F067HH04 , 2F067HH06 , 2F067HH13 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067KK08 , 2F067LL18 , 2F067TT06 , 2G001AA01 , 2G001AA03 , 2G001AA05 , 2G001AA09 , 2G001BA07 , 2G001BA09 , 2G001BA15 , 2G001CA03 , 2G001FA02 , 2G001FA06 , 2G001GA01 , 2G001GA08 , 2G001HA01 , 2G001JA17 , 2G001KA11 , 2G001LA02 , 2G001MA05 , 2G001NA11 , 2G001NA17

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭63-009807
特開昭60-128306
特開昭60-128306

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