不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329960
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147590
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】EEPROM及びフラッシュEEPROMで繰り返し書き込み消去を行なうことによって起る書き込みおよび消去時間の変化に対応し、初期設定されている書き込みあるいは消去パルス幅を実力に応じ変更する。【解決手段】初期設定パルス幅のみで書き込みあるいは消去が完了する場合、初期設定パルス幅を短くし、追加書き込みあるいは追加消去が2回以上の場合、初期設定パルス幅を長くするよう書き込み消去動作制御回路1からの第1の信号7と、ベリファイ回路5からの第2の信号8により書き込み消去パルス幅設定回路6が判定し、初期パルス幅データを書き換えるための第3の信号9を書き込み消去パルス幅制御回路2に送る。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、書き込み消去動作信号を受けメモリセルへのデータの書き込み又は消去を行なうための第1の信号を出力する書き込み消去動作制御手段と、前記第1の信号により書き込み又は消去パルス幅を決定しパルスを出力する書き込み消去パルス幅制御手段と、前記消去パルス幅制御手段からのパルスにより前記メモリセルに印加する書き込みパルス又は消去パルスを発生する書き込み消去パルス発生手段と、前記書き込みパルス又は消去パルスが印加された前記メモリセルが予め定められた所定のしきい値電圧に至っているか否かを判定しこの判定結果を第2の信号として前記書き込み消去動作制御手段に送出するベリファイ手段と、前記第1の信号および前記第2の信号に基づき前記書き込み消去パルス幅の設定を変更するための第3の信号を前記書き込み消去パルス幅制御手段に出力する書き込み消去パルス幅設定手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 510 A , G11C 17/00 530 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-040935 出願人：株式会社東芝

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