半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040935
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249294
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】EEPROMにおける最適値を有するデータ書き込み用および消去用の電圧をチップ内でほぼ自動的かつ安定に発生でき、製造後におけるデータ書き込み用および消去用の電圧の設定・検査などに要する時間の短縮を図る。【構成】メモリセルに対するデータの書き込みあるいは消去を行った後にブリファイ読み出しを行う一連の制御を、書き込みあるいは消去が正しく行われるまで必要に応じて繰り返した場合の一連の制御の実行回数を表わす検証回数データを保持する回路86と、この検証回数データを予め設定された設定回数データと比較し、比較結果に応じて制御データにより書き込み電圧あるいは消去電圧用の昇圧回路の出力電圧を変化させると共にその制御データを不揮発的に記憶する回路87、77、55、54、17とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電源電圧を昇圧する昇圧手段と、上記昇圧手段の出力端に接続され、上記昇圧手段の出力電圧を任意の値に設定する電圧設定手段と、浮遊ゲート及び制御ゲートを有するMOSFETからなり、上記電圧設定手段により設定された電圧が用いられることによりデータの書き込みが行われるメモリセルと、上記メモリセルに対するデータの書き込みを行った後に上記メモリセルの記憶データの読み出しを行うことにより前記データの書き込みが正しく行われているか否かを検証する一連の制御を行い、この一連の制御を上記書き込みが正しく行われるまで必要に応じて繰り返し、上記一連の制御の実行回数を表わす検証回数データを保持する検証制御手段と、この検証制御手段で保持された検証回数データを予め設定された所定の回数を表わす設定回数データと比較し、比較結果に応じて前記電圧設定手段を制御することにより前記昇圧手段の出力電圧を変化させる電圧制御手段と、この電圧制御手段により前記電圧設定手段を制御するための制御データを不揮発的に記憶する記憶手段とを具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 510 A , G11C 17/00 530 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-229597
特開平1-211300
特開昭63-244499

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