特許

J-GLOBAL ID：200903024939794001

平面正方形遷移金属錯体の使用

発明者： ザイカ,オラフ ,  ダーテ,レネ ,  ヴィルマン,シュテッフェン ,  ヴェルナー,アンスガー
出願人/特許権者： ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-511417
公開番号（公開出願番号）：特表2009-537676
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：

本発明は、ドーパント、電荷注入層、電極材料、あるいは、ストレージ材料としての平面正方形遷移金属錯体の使用に関する。

請求項（抜粋）：

電子部品または光電子部品の、有機半導体マトリクス材料をドーピングするためのドーパントとして、または、電荷注入層、電極材料、あるいは、ストレージ材料としての平面正方形遷移金属錯体の使用であって、 上記平面正方形遷移金属錯体が、以下の化学式(I)または(II);

IPC (3件)：

C09K 11/06 ,  C07C 321/08 ,  H01L 51/50

FI (3件)：

C09K11/06 660 ,  C07C321/08 ,  H05B33/14 B

Fターム (13件)：

3K107AA01 ,  3K107CC22 ,  3K107DD64 ,  3K107DD69 ,  3K107FF14 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H006TA04 ,  4H006TB21 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4H050WB11 ,  4H050WB21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 液晶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-358669   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-208689
  
• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051152   出願人：松下電器産業株式会社
• 有機層を持つ発光素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-543714   出願人：ノヴァレッド・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
• P-I-N構造の超低電圧高効率燐光OLED
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-514158   出願人：ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシティ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Comparison of p-type and n-type organic field-effect transistors using nickel coordination compound