レジスト組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057342
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255540
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】KrF、ArFエキシマレーザー等の遠紫外線やF2エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる、微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及びアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有し、かつブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)及び有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

下記の含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)及び有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。含フッ素ポリマー(A):式(1)で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及び式(2)で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであって、式(1)で表される含フッ素ジエンと式(2)で表されるアクリル系単量体とを重合して得られる共重合体がブロック化酸性基を有しない場合は、該共重合体中にブロック化酸性基を形成して得られる、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー。CF2=CR1-Q-CR2=CH2 ・・・(1)(ただし、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Qは2価の有機基であって、かつ酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基、酸性基又は酸性基以外の該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)CH2=CR3-CO2R4 ・・・(2)(ただし、R3は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、R4は水素原子、炭化水素基、酸性基を有する有機基、酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有する有機基、酸性基以外の該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , H01L 21/30 502 R

Fターム (44件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB12 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J100AJ02Q , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AS13P , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA05P , 4J100BA05Q , 4J100BA06P , 4J100BA22P , 4J100BA22Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB12P , 4J100BB13Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC43Q , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100FA03 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

感光性樹脂組成物、それを用いた樹脂膜の製造法及び物品
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253226 出願人：日立化成工業株式会社, 旭硝子株式会社

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