逆スタガー型薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269542
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130313
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】接触抵抗を低減して特性を改善、安定化させるとともに絶縁破壊による信頼性低下を抑制した逆スタガー型薄膜トランジスタ、並びに生産性の高い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】基板101上に、少なくともゲート電極103とゲート配線104、ゲート絶縁膜105、半導体能動層106、ソース電極109とドレイン電極110、及び半導体能動層のチャネル部111のパッシベーッション膜が順次形成されており、ソース電極及びドレイン電極にそれぞれソース配線及びドレイン配線が接続されており、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部で該配線間に設けられた絶縁膜の膜厚が、前記ゲート絶縁膜105の膜厚と前記パッシベーション膜の膜厚との和に略等しい。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともゲート電極とゲート配線、ゲート絶縁膜、半導体能動層、ソース電極とドレイン電極、及び前記半導体能動層のチャネル部のパッシベーッション膜が順次形成されており、前記ソース電極及びドレイン電極にそれぞれソース配線及びドレイン配線が接続されており、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部で該配線間に設けられた絶縁膜の膜厚が、前記ゲート絶縁膜の膜厚と前記パッシベーション膜の膜厚との和に略等しいことを特徴とする逆スタガー型薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-100518
特開平4-199029
特開平3-187273

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