特許
J-GLOBAL ID：200903024956877905
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248065
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087706
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 活性化率の高いPをソース・ドレイン領域形成用に不純物として導入しつつ、活性化のための熱処理によるPの拡散を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板100にしきい値制御用の高質量の第1の不純物としてInイオンを導入した後、半導体基板100上に形成されたゲート電極150を少なくともマスクとして半導体基板100に第2の不純物として燐を導入し、その後第1の不純物及び第2の不純物の活性化のための熱処理を行う。この構成により、燐という活性化率が高いものの、拡散しやすい材料を用いてソース・ドレイン領域を形成してもInなどの高質量不純物の存在により、燐の拡散を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板にしきい値制御用の高質量の第1の不純物を導入する工程と、前記半導体基板上に形成されたゲート電極を少なくともマスクとして前記半導体基板に第2の不純物として燐を導入した後、前記第1の不純物及び第2の不純物の活性化のための熱処理を行う工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 Y
