特許

J-GLOBAL ID：200903024963311895

フィールド酸化膜アイランドが除去されたメモリアレー及び方法

発明者： ウォルステンホルメ,グラハム,アール
出願人/特許権者： ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-515394
公開番号（公開出願番号）：特表平8-504994
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】EPROMのような、プログラム可能なトランジスタセルのアレーを含み、電気的絶縁をもたらすためのフィールド酸化膜アイランドの使用を回避する、電気的にプログラム可能な不揮発性の半導体メモリ(44)。セルがX個の列とY個の行に配列され、少なくとも2つの列におけるセルか選択セルとして指定され、残りのセルがメモリセルとして指定される。選択セル(46)がメモリセルの選択されたものにプログラム電圧を供給するようにせしめるために、制御回路が設けられる。選択セルの一つおきのものが、低閾値(活性)状態のままでいる隣接する選択セルに対して電気的絶縁をもたらすように、高閾値(非活性)状態に初期プログラムされる。

請求項（抜粋）：

電気的にプログラム可能な不揮発性半導体メモリであって、 Y個の行とX個の列に配列され、メモリセルとして指定されるセルの少なくとも1つの列と、選択セルとして指定されるセルの少なくとも2つの列を含む、プログラム可能なトランジスタセルのアレーと、 前記選択セルがメモリセルの選択されたものに対してプログラム電圧を供給するようにせしめる制御手段と、からなるメモリ。

IPC (5件)：

G11C 16/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342155   出願人：株式会社メガチップス