特許

J-GLOBAL ID：200903024988576214

窒化物系発光素子及びその製造方法

発明者： 宋 俊 午 ,  林 東 ▲せき▼ ,  成 泰 連
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  光州科學技術院
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261354
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086210
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板、n型クラッド層、発光層、p型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、p型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流-電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型クラッド層とp型クラッド層間に発光層を備える窒化物系発光素子において、 前記発光層から出射される光を反射する反射層と、 前記反射層と前記p型クラッド層間にインジウム酸化物に添加元素が添加されて形成されたオーミックコンタクト層と、を備えることを特徴とする窒化物系発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B

Fターム (27件)：

4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国公開特許2003-0143772A1号公報
  
• 米国公開特許2002-0179914A1号公報
  

審査官引用 (4件)

• 波長変換型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-040876   出願人：スタンレー電気株式会社
• 特開昭60-039710
  
• 特開昭60-039710
  
• 特開昭60-039710