特許
J-GLOBAL ID：200903055062283909

波長変換型半導体素子

発明者：
佐藤 弘之

佐藤 弘之 について

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森川 謙一

森川 謙一 について

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土谷 正彦

土谷 正彦 について

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平澤 洋

平澤 洋 について

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冨吉 俊夫

冨吉 俊夫 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山崎 輝緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040876
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246648
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、反射面として機能する電極の反射率を高めると共に、接触抵抗を低減するようにした、波長変換型半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 pn接合を構成する下方のp型層13及び上方のn型層12と、これらの上方に配設された波長変換材17と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極14と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極16と、を含む波長変換型半導体素子10であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層16aと、導電性透明酸化物層16bと、から構成されるように、波長変換型半導体素子10を構成する。
請求項（抜粋）：
pn接合を構成する下方のp型層及び上方のn型層と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極と、を含む半導体素子であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層と、導電性透明酸化物層と、から構成されていることを特徴とする、半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H
Fターム (38件)：
4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE05 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F041AA14 ,  5F041CA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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