特許

J-GLOBAL ID：200903024999516647

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松園 清吾
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333862
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101327
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 半導体素子の動作および使用環境温度の変化等により熱が長期間にわたり繰り返し加えられたとしても半導体素子と樹脂基板との接続信頼性を確保することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 上面中央部に半導体素子4を搭載する搭載部を有する樹脂基板1と、前記搭載部に半田バンプ8を介してフリップチップ接続されて搭載された半導体素子4と、半導体素子4と樹脂基板1との間に充填された樹脂充填剤9と、樹脂基板1の上面外周部に半導体素子4を取り囲むようにして接合された金属枠体2と、金属枠体2の上面に半導体素子4を覆うようにして接合された金属蓋体3とを有する半導体装置であって、樹脂充填剤9のガラス転移点が50〜90°Cである。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

上面の中央部に半導体素子を搭載する搭載部を有する樹脂基板と、前記搭載部に半田バンプを介してフリップチップ接続されて搭載された半導体素子と、該半導体素子と前記樹脂基板との間に充填された樹脂充填剤と、前記樹脂基板の上面の外周部に前記半導体素子を取り囲むようにして接合された金属枠体と、該金属枠体の上面に前記半導体素子を覆うようにして接合された金属蓋体とを有する半導体装置であって、前記樹脂充填剤はガラス転移点が50〜90°Cであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31

FI (3件)：

H01L23/30 R ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/12 501B

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA04 ,  4M109EA11 ,  4M109EC05 ,  5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044LL11 ,  5F044RR17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-240019   出願人：日本電気株式会社