特許
J-GLOBAL ID：200903036038160974
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051568
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズの大きな半導体装置における半導体チップ及びパッケージ基板における反りと、温度サイクル試験における半田バンプの破壊を防止するとともに、構造の簡易化及び低コスト化、高信頼性化を実現することを可能にした半導体装置を提供するものである。【解決手段】 樹脂で構成されたパッケージ基板1の上面にシリコン等の半導体で形成された半導体チップ5を半田バンプ6等によるフェイスダウンにより搭載する半導体装置において、半導体チップ5とパッケージ基板1との接合部の間隙内にヤング率が100kgf/mm2 以下、好ましくは熱膨張係数が80〜160ppm/°Cのアンダーフィル樹脂7を充填する。単一のアンダーフィル樹脂のみで半導体チップ5及びパッケージ基板1の反りを防止し、ひいてはFCBGAパッケージの反りを防止する。半導体装置の構造の単純化及び製造工程の簡略化が実現でき、低コストな半導体装置が実現可能になる。
請求項（抜粋）：
樹脂で構成されたパッケージ基板の電極とシリコンの半導体で形成された半導体チップの電極が接続された半導体装置において、前記半導体チップとパッケージ基板との接合部の間隙内にヤング率が100kgf/mm2以下のアンダーフィル樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/56
H01L 23/12 501 B
, H01L 21/56 E
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA04
