特許
J-GLOBAL ID：200903025002232845
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083938
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 比較的大きな磁気抵抗変化率が得られると共に、飽和磁界が小さく、かつ大きな電気抵抗を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 磁性体層と半導体層とを交互に積み重ねた積層膜を有する磁気抵抗効果素子である。非磁性中間層として用いられる半導体層は、例えば実効的エネルギーギャップが 0.1eV以下のものである。
請求項（抜粋）：
磁性体層と半導体層とを交互に積み重ねた積層膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/30
