特許
J-GLOBAL ID：200903025023505795
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326780
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 配線層を接続するコンタクトホールにおけるエレクトロマイグレーション耐性の信頼性を向上するための半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 第1金属配線層2Aは、下地層間絶縁膜1側に配置される第1金属膜2aと、この第1金属膜2aの上に第2金属膜2bと、この第2金属膜2bの上に形成される前記第1金属膜2aと同じ金属材料からなる第3金属膜2cとを有し、第1金属膜2aおよび第3金属膜2cは、第2金属膜2bよりもエレクトロマイグレーション耐性に優れた金属材料であり、接続配線層7,8の下端部は、第1金属膜2aの表面に接するように設けられている。
請求項（抜粋）：
下地層間絶縁膜の上に、それぞれ層間絶縁膜を介在し、接続配線層によって電気的に接続される第1金属配線層および前記第1金属配線層よりも上方に形成される第2金属配線層を備え、前記第1金属配線層は、前記下地層間絶縁膜側に配置される第1金属膜と、この第1金属膜の上に形成される第2金属膜と、この第2金属膜の上に形成される前記第1金属膜と同じ金属材料かならなる第3金属膜とを含み、前記第1金属膜および前記第3金属膜は、前記第2金属膜よりもエレクトロマイグレーション耐性に優れた金属材料であり、前記接続配線層の下端部は、前記第1金属膜の表面に接するように設けられる、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 R
, H01L 21/90 B
