半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288516
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114599
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系単結晶化合物半導体層を、これとは異なる材料系の基板上に、良質な結晶性を有する状態で歩留まり良く且つ再現性良く結晶成長させ、これを用いて高品質及び高信頼性を有し且つ面状発光を実現する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物系半導体発光素子は、III-V族窒化物系の少なくとも1種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が該III-V族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えている。該積層構造体のうちで該基板に最も近く位置している第1成長層のバルク格子定数a<SB>1</SB>と、該積層構造体のうちで最も大きな厚さを有する第2成長層のバルク格子定数a<SB>2</SB>とは、該基板の熱膨張係数がこれらの層の熱膨張係数よりも大きい場合には、a<SB>2</SB><a<SB>1</SB>≦1.005a<SB>2</SB>なる関係を満たし、該基板の熱膨張係数がこれらの層の熱膨張係数よりも小さい場合には、0.995a<SB>2</SB>≦a<SB>1</SB><a<SB>2</SB>なる関係を満たす。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系の少なくとも1種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が、該III-V族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えたIII-V族窒化物系半導体発光素子であって、該基板の熱膨張係数が、該積層構造体のうちで該基板に最も近く位置している第1成長層の熱膨張係数及び該積層構造体のうちで最も大きな厚さを有する第2成長層の熱膨張係数よりも大きく、該積層構造体の該第1成長層のバルク格子定数a<SB>1</SB>と該第2成長層のバルク格子定数a<SB>2</SB>とが、a<SB>2</SB><a<SB>1</SB>≦1.005a<SB>2</SB>なる関係を満たす、III-V族窒化物系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Fターム (24件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化ガリウム系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310333 出願人：松下電器産業株式会社

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