特許
J-GLOBAL ID：200903025040067408

半導体基板の製造方法

発明者：
関 原 章 子

関 原 章 子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270455
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 特定の熱処理法を採用することによって、BMD密度の最適化と機械的強度の向上の双方にすぐれた半導体基板を提供すること。【解決手段】 ボロン濃度1×1018atoms/cm3 以上、初期酸素濃度7×1017atoms/cm3 (Old ASTM基準)以上のP型シリコン基板に対して、温度500°C〜690°Cの温度範囲において、熱処理温度T°Cと時間thとの関係が下記の条件(A):log10t >(4.091 ×10-7)T3 -(6.573×10-4)T2 +0.3478T -59.72 (A)を満足するような熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
ボロン濃度1×1018atoms/cm3 以上、初期酸素濃度7×1017atoms/cm3 (Old ASTM基準)以上のP型シリコン基板に対して、温度500°C〜690°Cの温度範囲において、熱処理温度T°Cと時間thとの関係が下記の条件(A):log10t >(4.091 ×10-7)T3 -(6.573×10-4)T2 +0.3478T -59.72 (A)を満足するような熱処理を行うことを特徴とする、半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322
FI (3件)：
H01L 21/324 X ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Y
引用特許：
審査官引用 (9件)
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