半導体基板およびその処理方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349538
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084925
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、素子特性の劣化の原因となる微小欠陥や酸素析出物の発生を抑制できる半導体基板の処理方法を提供すること。【構成】シリコン基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有するシリコン基板の処理方法において、前記熱処理は1100°C以上の非酸化性雰囲気中で行なわれ、前記熱処理以前の熱工程の熱処理温度と熱処理時間とが、前記熱処理温度と前記熱処理時間とを座標とする平面において、(900°C,4分),(800°C,40分),(700°C,11時間),(600°C,320時間)の4つの点を結ぶ線以下の領域に含まれることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有する半導体基板の処理方法において、前記熱処理は1100°C以上の非酸化性雰囲気で行なわれ、前記熱処理以前の熱工程の熱処理温度と熱処理時間とが、前記熱処理温度と前記熱処理時間とを座標とする平面において、(900°C,4分),(800°C,40分),(700°C,11時間),(600°C,320時間)の4つの点を結ぶ線以下の領域に含まれることを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/223 , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-167433
特開平3-123027
特開昭60-247935

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