特許
J-GLOBAL ID：200903025045808457
低透磁率コバルトスパッターターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330101
公開番号（公開出願番号）：特開2001-200356
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、単相h.c.p.構造及び材料の固有の透磁率よりも小さな透磁率を有する高純度コバルトスパッターターゲットを提供する。【解決手段】 実質的に純なコバルトをキャストしかつ速度15°C/分以下でゆっくり冷却して単相h.c.p.結晶構造のキャストされたターゲットを形成する。このキャストされたターゲットを温度少なくとも約1000°Cで熱間加工して歪み約65%又はそれ以上をコバルト材料の中に付与し、続いて速度15°C/分以下のように室温にゆっくり、調節して冷却して単相h.c.p.結晶構造を保つ。次いで、冷却されたターゲットを実質的に室温で冷間加工して歪み約5〜20%を付与する。この方法によって加工されたスパッターターゲットは、透磁率約9未満、サイズが約70〜160μmの範囲の粒子サイズ及び平均サイズ約130μmを有する。
請求項（抜粋）：
下記:固有の透磁率を有する実質的に純なコバルト金属をキャストしかつ金属を調節した速度でゆっくり冷却して単一六方細密相を有する実質的に純なコバルトスパッターターゲットを形成し;スパッターターゲットを温度少なくとも1000°Cで熱間加工して歪み少なくとも65%にし;熱間加工したスパッターターゲットを調節した速度でゆっくり冷却して単一の六方細密相を保ち;及び熱間加工したスパッターターゲットを実質的に室温で冷間加工して歪み5〜20%にするの工程を含み、冷間加工したスパッターターゲットは、固有の透磁率よりも小さい透磁率を有する、低透磁率コバルトスパッターターゲットを製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
