特許
J-GLOBAL ID：200903086985577088

Co-Ni合金スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
高橋 一成

高橋 一成 について

, 
宮下 博仁

宮下 博仁 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335419
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160330
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 酸素含有量が少なく、成膜の耐蝕性を高め、さらに飽和磁化を低下させてマグネトロンスパタリングが容易に行なうことができるCo-Ni合金ターゲットを得る。【解決手段】 Niを0.5〜10at%含有するCo-Ni合金を真空溶解し、これをさらに熱間圧延してCo-Ni合金ターゲットとする。さらに、酸素含有量を100ppm以下、結晶粒径を50μ以下とする。
請求項（抜粋）：
Niを0.5〜10at%含有することを特徴とするCo-Ni合金スパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 1/10 ,  C22C 19/07
FI (4件)：
C23C 14/34 A ,  C22C 1/02 503 G ,  C22C 1/10 Z ,  C22C 19/07 G
Fターム (7件)：
4K020AA22 ,  4K020AC06 ,  4K020BB22 ,  4K020BC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC15
引用特許：
審査官引用 (15件)
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