特許

J-GLOBAL ID：200903025057901908

プラズマ処理装置および処理方法

発明者： 馬渕 博嗣 ,  速水 利泰 ,  井田 英男 ,  村上 智美 ,  武田 直彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073467
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266095
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】試料に対するパーティクルの付着や金属汚染が少ないプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。さらに、より均一な処理が可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】マイクロ波導入窓14とこのマイクロ波導入窓14に対面する試料台15を有する反応容器11と、この試料台15に高周波を印加する手段28と、試料台15に対向する電気的に接地された対向電極21とを備え、この対向電極21が反応容器11の内側であってマイクロ波導入窓14の周縁部に設けられているプラズマ処理装置。このプラズマ処理装置を用いて、試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を供給する手段と、マイクロ波導入窓とこのマイクロ波導入窓に対面する試料台を有する反応容器と、試料台に高周波を印加する手段と、試料台に対向する電気的に接地された対向電極とを備えたプラズマ処理装置であって、前記対向電極が反応容器の内側であってマイクロ波導入窓の周縁部に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (8件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (9件)：

H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マイクロ波プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286889   出願人：住友金属工業株式会社