特許
J-GLOBAL ID：200903025100966121
近接場光プローブ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194984
公開番号（公開出願番号）：特開2003-014608
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】近接場光プローブにおける金属被膜の厚さは分解能の点より薄くする必要があり、且つノイズ低減のために遮光性も必要。双方の要望を満たすために金属被膜の間隙からのリークを無くす手段えオ提供する。【解決手段】近接場光プローブの構造は少なくとも突起部を有し、突起部の外面は金属被膜によって覆われているとともに、突起部の頂点部は金属被膜が形成されず開口部とされてなるプローブとして、金属被膜をHgによってアマルガム化されている。金属被膜はアマルガムすることができる金属を用いることができるがAuAlが好適。
請求項（抜粋）：
少なくとも突起部を有し、当該突起部の外面は金属被膜によって覆われているとともに、当該突起部の頂点部は金属被膜が形成されず開口部とされてなる近接場光プローブであって、上記金属被膜が、Hgによってアマルガム化されていることを特徴とする近接場光プローブ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 13/14 B
, G12B 1/00 601 C
