電極形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-390000
公開番号（公開出願番号）：特開2005-146400
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】接触する有機層の特性が低下するのを防止し得る電極を、簡易な方法で形成することができる電極形成方法、かかる電極形成方法により形成された電極を備え、特性に優れる薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電極形成方法は、主として有機材料で構成される有機層に接触する電極を形成する電極形成方法であり、前記電極を形成するための金属の金属塩と、還元剤とを含み、アルカリ金属イオンを実質的に含まないメッキ液を用いて、無電解メッキにより電極を形成することを特徴とする。還元剤としては、ヒドラジンおよび次亜燐酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするもの、また、pH調整剤としては、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライドおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも1種を主成分とするものが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

主として有機材料で構成される有機層に接触する電極を形成する電極形成方法であって、前記電極を形成するための金属の金属塩と還元剤とを含み、アルカリ金属イオンを実質的に含まないメッキ液を用いて、無電解メッキにより前記電極を形成することを特徴とする電極形成方法。

IPC (6件)：

C23C18/16 , C23C18/31 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6件)：

C23C18/16 A , C23C18/31 A , H01L21/28 301B , H01L21/288 E , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K

Fターム (67件)：

4K022AA13 , 4K022AA25 , 4K022AA42 , 4K022BA02 , 4K022BA03 , 4K022BA07 , 4K022BA14 , 4K022BA18 , 4K022BA22 , 4K022BA31 , 4K022BA33 , 4K022BA34 , 4K022CA04 , 4K022CA07 , 4K022CA27 , 4K022DA01 , 4K022DB04 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD53 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社

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