特許

J-GLOBAL ID：200903025114852056

半導体集積回路装置

発明者： 黒木 孝一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312210
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145413
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】ノイズ等による各降圧回路の出力する内部電圧の電圧値相互間の逆転を防止しより信頼性の高い半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】内部電圧VI1を降圧して内部電圧VI2を発生することを特徴とする降圧回路2Aを備える。

請求項（抜粋）：

電源電圧を降圧してこの電源電圧より低い第1の電圧の第1の内部電源及び前記第1の電圧より低い第2の電圧の第2の内部電源をそれぞれ発生する第1及び第2の降圧回路を半導体チップ上に備え、前記第1及び第2の電源をそれぞれ対応の内部回路に供給する半導体集積回路装置において、前記第2の降圧回路が、前記第1の内部電源を降圧して前記第2の内部電源を発生することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 27/10 481 ,  G05F 1/56 310 ,  G05F 1/56 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407

FI (5件)：

H01L 27/10 481 ,  G05F 1/56 310 U ,  G05F 1/56 310 X ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139229   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175245   出願人：三菱電機株式会社