半導体装置の静電保護回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054711
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】回路規模の増大や、特殊なプロセスの追加を極力抑えながら半導体装置の静電耐圧を向上させる。【解決手段】静電気により、電源端子VSSを基準として正のサージ電圧が出力端子OUTに印加されると、ドレイン-ソース間耐圧の低いMOSトランジスタTr2においてまずブレークダウンが生じ、このブレークダウン電流により発生する電圧によってMOSトランジスタTr1がオンとなり、出力端子OUTから流入するサージ電流はほとんどMOSトランジスタTr1のドレイン-ソース間を介して電源端子VSSへと流れる。これにより、インバータIn1等の内部回路をサージ電流から保護する。すなわち、別途、サイズの大きな保護用のトランジスタを設けることも、特殊なプロセスの追加を極力抑えながら半導体装置の静電耐圧を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

ドレインを出力端子または入力端子に接続し、ソースを第1の電源端子に接続し、ゲートに受ける信号によりオン、オフ制御されるか、またはゲートが特定電位に保持されて通常オフとされる特定導電型の第1のMOSトランジスタと、ドレインを上記出力端子または入力端子に接続し、ソースを上記第1のMOSトランジスタのゲートに接続し、ゲートを第1の電源端子に接続して通常状態においてオフとされる上記特定導電型の第2のMOSトランジスタとを具備することを特徴とする半導体装置の静電保護回路。

IPC (3件)：

H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/06 311 C , H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-248549
半導体出力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-285810 出願人：日本電気株式会社
特開昭48-081485

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