特許

J-GLOBAL ID：200903025150127945

膜の形成方法

発明者： 足立 研
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368450
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195651
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 所望の成分ではない膜の形成を抑制して、所望の成分の膜を効率的に形成することができる膜の形成方法を提供する。【解決手段】 SiH4 及びN2 のうちで高周波電圧の印加から励起状態に到達するまでの時間が相対的に短いSiH4 の分圧が相対的に低い第1の工程と、この第1の工程に続いておりSiH4 の分圧が相対的に高い第2の工程とを、高周波電圧を印加したまま連続的に実行する。このため、高周波電圧の印加から励起状態に到達するまでの時間がN2 では相対的に長くても、SiH4 とN2 との両方から膜が形成される。

請求項（抜粋）：

第1及び第2のガスに電圧を印加してこれら第1及び第2のガスのプラズマを発生させ、このプラズマ中における励起状態の前記第1及び第2のガスを互いに反応させる膜の形成方法において、前記第1及び第2のガスのうちで前記印加から前記励起状態に到達するまでの時間が相対的に短い一方のガスの分圧が相対的に低い第1の工程と、この第1の工程に続いており前記分圧が相対的に高い第2の工程とを、前記印加を維持したまま連続的に実行することを特徴とする膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-019340
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221886   出願人：山形日本電気株式会社