特許
J-GLOBAL ID：200903025175101681
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072813
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274212
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】外部端子接続レイアウトの異なる半導体装置の共用化を図り、且つ半導体装置のグランド外部端子増加によるグランドバウンスノイズを削減する。【構成】半導体素子1の各電極端子は金属細線2を介して、それぞれ独立した各信号用(または電源用)ステッチ3aまたは環状に設けられているグランド用ステッチ3bに接続される構造となっており、前記電極端子を何れのステッチに接続するかは任意に選択することができる。また、グランドとなる半導体素子1の電極端子は、金属細線2を介して基板の環状のグランド用ステッチ3bに接続され、更に基板内のスル-ホールを介して、下層のグランドプレーン層に接続される。外部端子の近傍にはグランドプレーン層に接続されるスルーホールが設けられており、基板の外部端子取付け面において電気的配線パターンを介して接続される。このような配線接続により、外部端子はグランドとして機能する。
請求項（抜粋）：
外部と内部の半導体素子との間の電気的接続機能を有する外部端子として、前記半導体素子に対応するグランド(接地)または信号等を対象とする電気的接続を任意に選択することのできる外部端子を備え、当該外部端子に含まれる任意の外部端子に、前記半導体素子との間に形成される少なくとも2系統の異なる電気的配線を接続して構成されることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 W
