III族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-300800
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：

【要約】【課題】歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくいGaN結晶膜を提供する。【解決手段】サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、この成長領域から成長したGaN結晶がマスクを介して隣合う成長領域から成長したGaN結晶と合体してマスクを覆って成るGaN結晶膜であって、マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播しているGaN結晶膜。

請求項（抜粋）：

成長させる結晶とは異なる材料からなる異種基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを形成する工程、該マスクの表面張力を低減させる清浄化処理を行う工程、該成長領域からファセット構造を形成しながら結晶成長させ、該マスクを介して隣り合う成長領域から成長した結晶と合体して該マスクを覆い、さらに該ファセット構造を埋め込んで表面を平坦化するようにエピタキシャル成長する工程を有することを特徴とするIII族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 25/04 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D , C30B 25/04 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (30件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EE02 , 4G077EE07 , 4G077TC12 , 4G077TC16 , 4G077TK10 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD08 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07

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