架橋基を有する高分子化合物の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-204125
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：

【要約】【解決手段】重量平均分子量が1,000〜500,000である式(1)の高分子化合物と式(2)のアルケニルエーテル化合物と式(4a)の化合物とを反応させて、式(5a)の化合物を得る。【化1】【効果】本発明によれば、化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として有用な架橋基を有する高分子化合物をその架橋基導入量、更には酸不安定基の導入量を容易に制御して簡単かつ確実に合成することができる。

請求項（抜粋）：

重量平均分子量が1,000〜500,000である下記一般式(1)【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、xは0又は正の整数、yは正の整数で、x+y≦5を満足する数である。p1、p2は正数、q1、q2は0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q1+q2)≦0.8、0≦q1/(p1+p2+q1+q2)≦0.8、0≦q2/(p1+p2+q1+q2)≦0.8、p1+p2+q1+q2=1を満足する数であるが、q1とq2が同時に0となることはない。)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性水酸基の一部の水素原子に、その全フェノール性水酸基1モルに対してp1モルの下記一般式(2a)又は(3a)【化2】(式中、R<SP>8a</SP>は水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R<SP>9</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示すが、R<SP>8a</SP>とR<SP>9</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>8a</SP>は炭素数1〜7の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、R<SP>9</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>13</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。また、Aはc価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これら基はそれぞれヘテロ原子を介在してもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示し、cは2〜8の整数を示し、dは0又は1〜10の整数を示す。)で示されるアルケニルエーテル化合物及び上記全フェノール性水酸基1モルに対してq1モルの下記一般式(4a)【化3】(式中、R<SP>4a</SP>は水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R<SP>5</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R<SP>6</SP>は炭素数1〜18のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R<SP>4a</SP>とR<SP>5</SP>、R<SP>4a</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>4a</SP>は炭素数1〜7の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>はそれぞれ炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)で示される化合物を反応させることを特徴とする下記一般式(5a)又は(5b)【化4】【化5】〔式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>は上記と同様の意味を示す。R<SP>4</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は上記と同様の意味を示すが、R<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>、R<SP>4</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP>5</SP>とR<SP>6</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。x、yは上記と同様の意味を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数で、m+n=yである。p1、p2、q1、q2は上記と同様の意味を示す。また、Qは下記式(i)又は(ii)で示される基である。【化6】(式中、R<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>13</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。)〕で示される繰り返し単位を有する高分子化合物の製造方法。

IPC (3件)：

C08F112/14 , C08F 8/00 , G03F 7/039 601

FI (3件)：

C08F112/14 , C08F 8/00 , G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (1件)

架橋されたポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098487 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド

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