特許
J-GLOBAL ID：200903025204935856
半導体装置の製造方法及びそれを実施するための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017768
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 自動で研磨後の被ポリッシング膜の膜厚を測定すると共に最適なポリッシング時間を設定し、被ポリッシング膜を良好に平坦化することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実施するための装置を提供する。【構成】 ウェハ10をポリッシングした後、光学センサ31の上方にウェハ10を吸着した状態でウェハホルダ23に移動し、光学センサ31よりウェハ10の被ポリッシング膜に例えば可視光線を照射して測定する。それにより得られた膜厚の実測値をもとに、制御部40にて次にポリッシングするウェハのポリッシング時間を設定する。
請求項（抜粋）：
段差形状の被ポリッシング膜を有する第1及び第2のウェハを準備する工程と、上記第1のウェハの被ポリッシング膜をポリッシングして平坦化する工程と、上記第1のウェハの被ポリッシング膜の膜厚を測定する工程と、上記測定された値に応じて上記第2のウェハのポリッシング時間を設定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/306
H01L 21/306 M
, H01L 21/306 U
