特許

J-GLOBAL ID：200903025208965687

配線プラグの形成方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316050
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134959
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 プラグロスを形成させないようにした配線プラグの形成方法を提供することである。【解決手段】 本配線プラグの形成方法は、基板表面上に成膜したSiO2 絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔内及び絶縁膜上全面に配線材でブランケット層を形成し、次いで絶縁膜上のブランケット層をエッチングして接続孔を埋める配線プラグを形成する際に、ブランケット層をエッチングする工程で、フルオロハイドロカーボンガスを含むエッチングガスを使用する。または、ブランケット層をエッチングする工程の後に、フルオロハイドロカーボンガスを含むエッチングガスを使用して、配線プラグの上端面まで絶縁膜を選択的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板表面上に成膜したSiO2 絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔内及び絶縁膜上全面に配線材でブランケット層を形成し、次いで絶縁膜上のブランケット層をエッチングして接続孔を埋める配線プラグを形成するようにした配線プラグの形成方法において、ブランケット層をエッチングする際に、フルオロハイドロカーボンガスを含むエッチングガスを使用することを特徴とする配線プラグの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-306829
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279111   出願人：セイコーエプソン株式会社
• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-258614   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-306829