特許

J-GLOBAL ID：200903025234179576

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 志賀 仁 ,  常盤 直哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177553
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022112
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】高速のページプログラムを可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】電気的書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリセルを配列したセルアレイと、このセルアレイに、1ページのデータをページ内の複数のアドレス毎に書き込みを行う書き込み制御回路とを備え、書き込み制御回路は、1ページ分の複数のアドレス分の書き込み動作の繰り返しと、書き込み後の前記複数のアドレス分のベリファイ読み出し動作の繰り返しとを、全アドレスについてベリファイ読み出しの判定がパスするまで繰り返し、且つ書き込むべきセルがないアドレスについては前記書き込み動作及び書き込み後の前記ベリファイ読み出し動作をスキップするようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリセルを配列したセルアレイと、 前記セルアレイに、1ページのデータをページ内の複数のアドレス毎に書き込みを行う書き込み制御回路とを備え、 前記書き込み制御回路は、 1ページ分の複数のアドレス分の書き込み動作の繰り返しと、書き込み後の前記複数のアドレス分のベリファイ読み出し動作の繰り返しとを、全アドレスについてベリファイ読み出しの判定がパスするまで繰り返し、且つ 書き込むべきセルがないアドレスについては前記書き込み動作及び書き込み後の前記ベリファイ読み出し動作をスキップするようにした ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (1件)：

G11C16/02

FI (5件)：

G11C17/00 611A ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612F ,  G11C17/00 641

Fターム (4件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-075134   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発性メモリおよびそれを内蔵した半導体集積回路並びに不揮発性メモリの書込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-302696   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-050350   出願人：シャープ株式会社