半導体装置の製造方法及び薄膜形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341900
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252289
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】ガスデポジション法を用いて半導体装置などに用いる導電膜を形成するに際し、安定した導電膜を成膜することができる薄膜形成装置を提供する。【構成】ガスデポジションでは、蒸発室のるつぼ23で微粒子化したAuなどの導電材料13を、この微粒子13が形成された蒸発室より気圧の低い成膜室に置かれた半導体基板、回路基板などの基板の上に、その蒸発室/成膜室間の差圧を利用して蒸発室に導入された不活性ガスにより導き、配線又は配線と他の導電層とを接続する接続電極などに用いる導電膜を形成する。また、蒸発室に設置された不活性ガスを導入する手段26の先端に不活性ガス(Heガス)の流れを整流する不活性ガス整流手段(フィルタ)を取付ける。整流化されたHeガスにより微粒子13は、粗大化しないで速やかに搬送管27に吸いこまれて成膜室へ導かれる。

請求項（抜粋）：

金属ソ-スを加熱して蒸発させる工程と、前記蒸発した金属ソ-スを不活性ガスに接触させて金属微粒子化する工程と、前記金属微粒子を前記不活性ガスによって基板上に搬送し、前記金属微粒子を吹き付けて金属膜をこの基板上に選択的に形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 23/12 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 21/321 , H05K 3/14 , H05K 3/40

FI (3件)：

H01L 23/12 N , H01L 21/88 B , H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-083882
特開平4-083882
特開平2-022102

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