特許

J-GLOBAL ID：200903025291829099

薄膜パターン形成用マスク、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 御子柴 俊明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324628
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093224
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 液滴吐出法によって薄膜パターンを形成する方法において、アライメントマークを精度よく形成することによって、より高品質な薄膜パターンを形成することができる薄膜パターンの形成方法及びそれに使用するマスクを提供する。また、高品質な薄膜パターンを備えた電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】 機能液を基板上に所定のパターンで配置することにより薄膜パターンを形成する際用いられるマスクであって、基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン形成部と、アライメントマークを形成するマーク形成部とが具備されるとともに、前記マーク形成部は、少なくとも折曲部を有するアライメントマーク形成部及び該アライメントマーク形成部に連続するインク受け形成部からなり、前記インク受け形成部は前記アライメントマーク形成部より大きい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

機能液を基板上に所定のパターンで配置することにより薄膜パターンを形成する際用いられるマスクであって、 基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさのパターンを有する薄膜パターン形成部と、アライメントマークを形成するマーク形成部とが具備されるとともに、 前記マーク形成部は、少なくとも折曲部を有するアライメントマーク形成部及び該アライメントマーク形成部に連続するインク受け形成部からなり、前記インク受け形成部は前記アライメントマーク形成部より大きいことを特徴とする薄膜パターン形成用マスク。

IPC (7件)：

H01B13/00 ,  B05C5/00 ,  B05D1/32 ,  B05D7/00 ,  H01L41/09 ,  H05K3/00 ,  H05K3/10

FI (8件)：

H01B13/00 503D ,  B05C5/00 101 ,  B05D1/32 B ,  B05D7/00 H ,  H05K3/00 P ,  H05K3/10 D ,  H01L41/08 U ,  H01L41/08 C

Fターム (53件)：

4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AD06 ,  4D075AD08 ,  4D075AD13 ,  4D075AE03 ,  4D075BB44Y ,  4D075BB46Y ,  4D075BB49Y ,  4D075CA22 ,  4D075CA36 ,  4D075CA37 ,  4D075CA47 ,  4D075CB07 ,  4D075CB08 ,  4D075CB11 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA10 ,  4D075EB16 ,  4D075EB43 ,  4D075EC07 ,  4D075EC10 ,  4D075EC11 ,  4D075EC17 ,  4F041AA05 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA38 ,  5E343BB08 ,  5E343BB15 ,  5E343BB22 ,  5E343BB61 ,  5E343BB62 ,  5E343BB72 ,  5E343CC22 ,  5E343CC32 ,  5E343DD17 ,  5E343EE36 ,  5E343EE40 ,  5E343ER33 ,  5E343ER35 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08 ,  5G323CA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社